CMOS记录技术:意大利技术研究所探索SiNAPS电极

SiNAPS和Neuropixels都是用于记录神经活动的先进电极技术,不同的是SiNAPS(Silicon Nanowire Active Probes)是一种新型纳米级电极,具有更高密度、更广范围和更准确可靠的数据采集能力。它由哈佛大学和麻省理工学院的团队开发,采用了纳米技术来制造。SiNAPS电极致力于提供更高的空间分辨率和更少侵入性,以及更好的长期稳定性。

CMOS记录技术:意大利技术研究所探索SiNAPS电极

在意大利技术研究所科学家发表的题为:“SiNAPS: An implantable active pixel sensor CMOS-probe for simultaneous large-scale neural recordings”一文中,详细介绍了这一款可植入式活动像素传感器CMOS探针--SiNAPS。从活体内的急性记录显示,SiNAPS CMOS探针能够从每个位点采样全频段的生物电信号,并能够在空间和时间尺度上分辨和区分多个紧密神经元的活动。这些结果为新一代紧凑且可扩展的主动单/多轴脑记录系统铺平了道路。


文章亮点:

  • SiNAPS 提高了脑植入式活动探针的通道密度。该技术实现了更高的通道密度,允许同时记录大量神经元的活动,有助于更全面地了解神经系统的功能和互动。

  • 针对宽带低噪声神经记录进行了面积和功耗优化。SiNAPS在设计上经过优化,以实现对神经活动的广泛记录,同时尽可能减少面积和功耗,使其更适合长期实时记录。

  • 在体内演示了具有 512 位点的电极,像素尺寸为 26 μm × 26 μm(间距为 28 μm)。该研究通过实验验证了这种技术的有效性,展示了其在活体内记录神经活动的能力。

  • 电路模块化设计为未来设备采用不同布局方案提供了可能。SiNAPS具有电路模块化特性,这意味着未来可以采用不同的布局方案,以满足不同实验或应用的需求,增强了其灵活性和可定制性。